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DMN1019UVT-13

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Numero di parte
DMN1019UVT-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Stato Lead senza piombo / RoHS
Senza piombo / RoHS conforme
Scheda dati
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Numero di parte
-
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Scheda dati
DMN1019UVT-13.pdf
Vgs (th) (max) a Id
800mV @ 250µA
Vgs (Max)
±8V
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore
TSOT-26
Serie
-
Rds On (max) a Id, Vgs
10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)
1.73W (Ta)
imballaggio
Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Altri nomi
DMN1019UVT-13DI
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio
Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard
32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2588pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
50.4nC @ 8V
Tipo FET
N-Channel
Caratteristica FET
-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)
12V
Descrizione dettagliata
N-Channel 12V 10.7A (Ta) 1.73W (Ta) Surface Mount TSOT-26
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
10.7A (Ta)

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